1. TEDE PUCRS
  2. Teses e Dissertações dos Programas de Pós-Graduação da PUCRS
  3. Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiais
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dc.creatorBruschi, Diogo Lino-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/0714538015654902por
dc.contributor.advisor1Moehlecke, Adriano-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787919H0por
dc.date.accessioned2015-04-14T13:58:35Z-
dc.date.available2010-03-17-
dc.date.issued2010-01-27-
dc.identifier.citationBRUSCHI, Diogo Lino. Desenvolvimento de células solares em silício tipo n com emissor formado com boro. 2010. 88 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2010.por
dc.identifier.urihttp://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3151-
dc.description.resumoO Sol é fonte de energia renovável e o seu uso para produzir energia elétrica é uma das alternativas promissoras para enfrentar os desafios energéticos e ambientais do novo milênio. O silício é o segundo material mais abundante da Terra. Este material é largamente usado na indústria de células solares e microeletrônica, apresenta baixos índices de contaminações e permite a fabricação de dispositivos de alta durabilidade. O Si tipo n vem despertando o interesse mundial devido a sua maior tolerância a impurezas, tais como ferro e oxigênio, por apresentar degradação reduzida e maior tempo de vida dos portadores minoritários. O objetivo deste trabalho está centrado no desenvolvimento de um processo de fabricação industrial de células solares p+nn+, pseudoquadradas de 80 mm x 80 mm, sobre silício crescido por fusão zonal flutuante (Si-FZ) tipo n, com metalização por serigrafia. A região p+ foi produzida a partir de boro depositado por spin-on e difundido a alta temperatura em forno convencional. A dopagem da região p+ foi otimizada considerando as características elétricas das células solares. A temperatura de difusão foi variada de 900 ºC a 1020 ºC e os tempos de 10 min a 40 min. A passivação de superfície foi implementada utilizando SiO2 o que demonstrou não ser eficaz para reduzir a recombinação de superfície. Os melhores dispositivos foram fabricados com difusão de boro a 1000 ºC por 30 min, sem passivação de superfície, atingindo-se eficiências de 14,6 %.por
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2015-04-14T13:58:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 421791.pdf: 1283062 bytes, checksum: e3aff10753365da17e18a35994e82590 (MD5) Previous issue date: 2010-01-27eng
dc.formatapplication/pdfpor
dc.thumbnail.urlhttp://tede2.pucrs.br:80/tede2/retrieve/12227/421791.pdf.jpg*
dc.languageporpor
dc.publisherPontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sulpor
dc.publisher.departmentFaculdade de Engenhariapor
dc.publisher.countryBRpor
dc.publisher.initialsPUCRSpor
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiaispor
dc.rightsAcesso Abertopor
dc.subjectENGENHARIA DE MATERIAISpor
dc.subjectCÉLULAS SOLARESpor
dc.subjectSILÍCIOpor
dc.subjectSISTEMAS FOTOVOLTAICOSpor
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIASpor
dc.titleDesenvolvimento de células solares em silício tipo n com emissor formado com boropor
dc.typeDissertaçãopor
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