@MASTERSTHESIS{ 2017:493349487,
 	title = {Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo},
 	year = {2017},
 	url = "http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/7164",
 	abstract = "A passivação das superfícies de células solares é importante para a redução da taxa de recombinação de pares elétron-lacuna e, consequentemente, para o aumento de eficiência. O objetivo deste trabalho foi analisar a qualidade da passivação obtida com oxidação térmica de lâminas de silício grau solar e células solares com base p e campo retrodifusor seletivo, produzindo filmes finos de SiO2. Primeiramente, foi analisada a dependência do tempo de vida dos portadores de carga minoritários com o tempo e temperatura de oxidação para oxidações com e sem adição de cloro. Medidas de curva I-V e resposta espectral foram realizadas para determinar a influência dos parâmetros de oxidação nas características elétricas de células solares. Os resultados relacionados à limpeza do tubo de oxidação mostraram que a introdução de cloro durante a oxidação foi capaz de evitar a diminuição do tempo de vida dos portadores minoritários para lâminas de silício tipo Czochralski para temperaturas de processo maiores que 1000 °C. Em relação a passivação atribuída ao óxido, foi observado que o tempo de vida efetivo dos portadores minoritários aumenta para óxidos mais espessos. O tempo e a temperatura de oxidação que resultaram em maiores eficiências foram de 45 min e 800 °C, apresentando uma camada de SiO2 nas faces frontal e posterior de 53 nm e 10 nm, respectivamente. A melhor célula solar com campo retrodifusor seletivo e com passivação de SiO2 apresentou Jsc = 36,0 mA/cm2, Voc = 598,6 mV e FF = 0,777, correspondendo a uma eficiência de 16,8 %.",
 	publisher = {Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiais},
 	note = {Faculdade de Engenharia}
}