@MASTERSTHESIS{ 2019:2115635763,
 	title = {Otimiza??o das regi?es altamente dopadas de c?lulas solares bifaciais base n e an?lise da passiva??o},
 	year = {2019},
 	url = "http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/8621",
 	abstract = "As c?lulas solares bifaciais de sil?cio s?o projetadas para que ambas as faces possam atuar como conversor da energia solar. As l?minas de Si tipo n possuem maior toler?ncia ? impurezas n?o desejadas, apresentando maior tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios, e n?o apresentam degrada??o quando expostas ? radia??o solar, devido a aus?ncia de complexos boro-oxig?nio. O objetivo deste trabalho foi otimizar experimentalmente o emissor e o campo retrodifusor de c?lulas solares bifaciais, base n, com estrutura p+nn+, bem como avaliar a passiva??o das superf?cies com SiO2. Apoiou-se em trabalhos anteriores focados em c?lulas solares monofaciais, base p, com campo retrodifusor seletivo de boro e alum?nio, e na patente BR 10 2012 030 606 9, com difus?o de boro e oxida??o na mesma etapa t?rmica. Foram utilizadas l?minas de Si-Cz, grau solar e, variou-se a temperatura de difus?o de boro (TB), que forma o emissor, de 960 ?C a 1.000 ?C. A temperatura de difus?o de f?sforo (TP), que forma o campo retrodifusor, foi variada de 825 ?C a 855 ?C. Avaliou-se a resist?ncia de folha, as caracter?sticas el?tricas, a reflet?ncia e a efici?ncia qu?ntica interna das c?lulas solares bifaciais. Foi avaliada e comparada a passiva??o com SiO2, crescido em oxida??o seca, em ambas as faces e com diferentes espessuras. Foram obtidos valores baixos para o fator de forma no emissor, independente da TP, para c?lulas solares processadas nas TB de 960 ?C e 970 ?C. Com o aumento da TB para 980 ?C, TP = 845 ?C e TOXID = 860 ?C, se obteve, respectivamente, 15,9 % e 16 % de efici?ncia para o emissor e o BSF. O principal resultado foi o desenvolvimento de c?lulas solares bifaciais base n com processo industrial e efici?ncia de 15,5 % e de 16,6 %, respectivamente, no emissor e no campo retrodifusor. Este resultado foi obtido com TB = 990 ?C, TP = 835 ?C e TOXID = 800 ?C. Tamb?m se verificou que um ?xido de Si fino n?o resultou em passiva??o de qualidade e a passiva??o com uma camada de SiO2 da ordem de 50 ? 60 nm resultou em um aumento de 0,6 % e 0,9 % (absoluto) na efici?ncia na face com o campo retrodifusor e emissor, respectivamente.",
 	publisher = {Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais},
 	note = {Escola Polit?cnica}
}