@MASTERSTHESIS{ 2016:1556667139,
 	title = {Avalia??o de defeitos resistivos de manufatura em SRAMs frente ao fen?meno de NBTI},
 	year = {2016},
 	url = "http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/7672",
 	abstract = "Com o avan?o tecnol?gico e a miniaturiza??o da tecnologia CMOS, garantir a confiabilidade
 durante a vida ?til de Circuitos Integrados (CI) tem se tornado um ponto extremamente
 complexo e importante para aplica??es consideradas cr?ticas. Muitos s?o os
 benef?cios que esses avan?os trouxeram, como aumento do desempenho, frequ?ncia de
 opera??o, CIs com capacidade para novas e mais complexas funcionalidades entre outros.
 Entretanto, com o aumento do n?mero de interconex?es e densidade dos System-on-chip
 (SoC) novos desafios surgiram e necessitam ser solucionados para que estes avan?os possam
 continuar. Avan?os tecnol?gicos possibilitaram a fabrica??o de componentes com uma maior densidade
 de transistores em uma pequena ?rea de sil?cio, tornando-se um ponto cr?tico para
 o teste e an?lise da confiabilidade ap?s sua fabrica??o, uma vez que esse processo de
 fabrica??o gera novos tipos de defeitos. Neste sentido, defeitos do tipo resistive-open e
 resistive-bridge aparecem como os mais prov?veis. Esses defeitos ocorrem devido a pequenas
 mudan?as geom?tricas das c?lulas e podem causar falhas est?ticas, bem como
 falhas din?micas. Da mesma forma, fen?menos como Negative Bias Temperature Instability
 (NBTI), Positive Bias Temperature Instability (PBTI), Hot Carrier Injection (HCI)
 e Electromagnetic Interference (EMI) representam importantes desafios que obrigatoriamente
 devem ser tratados desde a fase inicial de projeto de CIs, bem como durante toda a
 sua vida ?til. Assim, compreender esses fen?menos e como os mesmos afetam tecnologias
 abaixo de 65nm ? considerado fundamental a fim de garantir a confiabilidade exigida para
 aplica??es consideradas cr?ticas. Neste contexto, esse trabalho visa avaliar o impacto de defeitos resistivos do tipo resistiveopen
 e resistive-bridge nas c?lulas de mem?ria do tipo 6T, que passaram nos testes de
 manufatura, mas que, ao longo dos anos manifestaram falha devido a presen?a do fen?meno
 de NBTI. Esses defeitos foram modelados atrav?s da inser??o de resist?ncias em
 determinados pontos da c?lula de mem?ria. Foi observado que defeitos do tipo resistive-open e resistive-bridge quando presentes entre
 os inversores de uma c?lula de mem?ria e n?o detectados durante os testes de manufatura,
 resultaram em falha nas opera??es de leitura da c?lula ao longo dos anos quando na
 presen?a de NBTI. Essa falha apresenta-se inicialmente com um comportamento din?mico
 e, de acordo com o envelhecimento da c?lula, passa a comporta-se como est?tica. Essa
 situa??o compromete a confiabilidade da c?lula, uma vez que o tempo de vida estimado
 da c?lula ser? inferior ao projetado.",
 	publisher = {Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia El?trica},
 	note = {Faculdade de Engenharia}
}