@PHDTHESIS{ 2016:823173369,
 	title = {Desenvolvimento e comparação de células solares P+NN+ com emissor seletivo e homogêneo},
 	year = {2016},
 	url = "http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/6707",
 	abstract = "A indústria de células solares está baseada na fabricação de dispositivos com estrutura n+pp+, com emissor de fósforo e campo retrodifusor de alumínio. Estudos mostram que a exposição à radiação solar pode causar a degradação das características elétricas destes dispositivos, o que não ocorre em células solares
 fabricadas em silício tipo n. Além disto, o silício tipo n possui maior tempo de vida dos portadores de carga minoritários e é menos afetado pela presença de impurezas quando comparado ao silício tipo p. Com o objetivo de desenvolver células solares p+nn+, processos experimentais de fabricação foram realizados para dispositivos com emissor homogêneo, obtido a partir de BBr3 e dopantes depositados por spinon,
 emissor seletivo formado por radiação laser e deposição de filmes antirreflexo (AR) por evaporação e deposição química em fase vapor (APCVD). Em células solares com emissor homogêneo formado por BBr3 foi observado que a oxidação seguida de recozimento a 400 °C com forming gas proporciona uma mínima
 passivação de superfície. Observou-se que as características elétricas das células fabricadas em silício grau solar tipo n são altamente afetadas pelo número de passos térmicos de alta temperatura. A eficiência máxima obtida em dispositivos com emissor formado por BBr3 foi de 12,7%. Os valores de tensão de circuito aberto das células com emissores seletivos foram inferiores a 560 mV, indicando uma
 deterioração na região fundida pela radiação laser, e a melhor célula solar atingiu 11,6% de eficiência. Em geral, os dispositivos com emissores homogêneos formados por spin-on apresentaram eficiências superiores em relação aos demais, atingindo 14,3% com metalização frontal com a pasta metálica PV3N1. Filmes AR de TiO2 depositados por APCVD e submetidos ao recozimento em temperaturas da ordem
 de 400 °C passivam a superfície, aumentando a efici ência dos dispositivos em até 0,5% (absoluto), o que não ocorre em filmes AR depositados por evaporação.",
 	publisher = {Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiais},
 	note = {Faculdade de Engenharia}
}