@PHDTHESIS{ 2015:1712843732,
 	title = {Influ?ncia do alum?nio no comportamento segregacional do ?ndio em ligas tern?rias de Ga1-xInxSb},
 	year = {2015},
 	url = "http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/6092",
 	abstract = "Ligas tern?rias de materiais semicondutores III-V, nomeadamente Ga1-xInxSb, s?o candidatas ideais para substratos, pois a possiblidade de se definir a constante de rede em fun??o da concentra??o do terceiro elemento, o ?ndio, possibilita o ajuste do par?metro de rede de acordo com a camada epitaxial subsequente. Desta forma, a monocristalinidade da camada epitaxial ? favorecida e as tens?es na interface camada/substrato s?o diminu?das, introduzindo in?meras possibilidades e aplica??es. O alum?nio (Al) ? considerado um dopante isoel?trico do Ga e do In, isto ?, n?o altera o n?mero de portadores de carga, mas aumenta a mobilidade em lingotes de GaSb. Ao ser adicionando na liga tern?ria Ga1-xInxSb, pode influenciar passivando e/ou compensando os defeitos nativos. Para compreender a influ?ncia do Al na distribui??o do ?ndio (In) em ligas tern?ria de Ga1-xInxSb, foram obtidos lingotes de Gao,8In0,2Sb puros e dopados com aproximadamente 1020 ?tomos/cm3 de Al em um sistema Bridgman vertical.An?lises por microscopia eletr?nica de varredura (MEV), espectroscopia por dispers?o de energia (EDS), difra??o de raios X (XRD), emiss?o de raios X induzida por part?culas (PIXE) e emiss?o de raios gama induzida por part?culas (PIGE) foram utilizadas para a caracteriza??o estrutural e composicional dos lingotes. Os lingotes de Ga0,8In0,2Sb obtidos, dopados ou n?o com alum?nio, apresentaram segrega??o do terceiro elemento, por?m, para os lingotes Ga0,8In0,2Sb:Al a segrega??o foi menor. Os lingotes de Ga0,8In0,2Sb:Al apresentaram uma boa homogeneidade estrutural, livres de fissuras e micro trincas, quando comparados ? liga n?o dopada. Todos os lingotes obtidos apresentam forma??o de precipitados, maclas e gr?os com diferentes concentra??es de In. Nos lingotes dopados com alum?nio foram observadas regi?es com pequena quantidade de gr?os na dire??o da solidifica??o, que podem ser atribu?das a uma distribui??o do ?ndio mais uniforme. A pequena varia??o composicional observada nos lingotes, no sentido radial, mensurada por PIXE, pode ser atribu?da ao comportamento pr?ximo ao equil?brio da interface s?lido-liquido.Os resultados obtidos sugerem a influ?ncia do alum?nio na distribui??o de ?ndio nos lingotes, na dire??o da solidifica??o, ao mesmo tempo que as propriedades el?tricas sugerem que o alum?nio possa ter contribu?do para a gera??o de defeitos aceitadores como GaSb, InSb e AlSb, sendo que o n?mero de portadores de carga aumentou nos lingotes dopados. N?o se exclui a possibilidade da gera??o de defeitos complexos como (VGaGaSb), (VGaInSb) e (VGaAlSb), uma vez que a mobilidade das cargas nos lingotes dopados diminuiu.",
 	publisher = {Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais},
 	note = {Faculdade de Engenharia}
}