@MASTERSTHESIS{ 2013:1869930839,
 	title = {Implementa??o e an?lise de jun??o flutuante em c?lulas solares industriais de sil?cio tipo N},
 	year = {2013},
 	url = "http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3226",
 	abstract = "Pesquisas t?m sido realizadas para o desenvolvimento e fabrica??o de c?lulas solares em l?minas de sil?cio tipo n, sendo que uma das quest?es chave para esse desenvolvimento ? a passiva??o da superf?cie do emissor dopado com boro na estrutura p+nn+. Uma alternativa para a passiva??o de superf?cies de tipo p+ ? a implementa??o de uma jun??o flutuante, tipo n, para reduzir a recombina??o em superf?cie. O objetivo desse trabalho foi implantar, por um m?todo simplificado, regi?es tipo n+ sobre a superf?cie frontal de c?lulas solares p+nn+ industriais, formando a estrutura (n+)p+nn+. Para produzir experimentalmente a regi?o n+ flutuante, usaram-se l?quidos dopantes depositados por spin-on e realizou-se o processo t?rmico de difus?o em forno de esteira. A malha met?lica frontal de Ag ou Ag/Al foi depositada por serigrafia e perfurou a regi?o n+ para estabelecer o contato frontal da c?lula (n+)p+nn+, formando-se uma regi?o n+ flutuante entre as trilhas met?licas. Foram variadas a velocidade de esteira e a temperatura, durante o processo de difus?o de f?sforo, a fim de obter uma regi?o n+ que invertesse superficialmente a regi?o p+. Observou-se que a invers?o da regi?o p+ para n+ somente se confirmou pela t?cnica da ponta quente para uma temperatura de difus?o (TD) de 900 ?C e velocidade de esteira (VE) de 50 cm/min, com duas passagens pelo forno. No entanto, as medidas de perfis realizadas indicaram que processos na mesma temperatura e VE = 50 cm/min, 100 cm/min e 133 cm/min, tamb?m poderiam produzir uma invers?o da superf?cie de p+ para n+. A melhor c?lula solar fabricada com regi?o n+ sobre p+ foi processada com TD = 900 ?C e V E= 133 cm/min e apresentou as seguintes caracter?sticas el?tricas: VOC = 573 mV, JSC = 33,4 mA/cm2, FF = 0,51 e h = 9,6 %. Utilizando simula??es uni e bidimensionais da estrutura (n+)p+nn+ confirmou-se que as c?lulas solares produzidas obtiveram baixa resist?ncia em paralelo devido a correntes de fuga na regi?o n+ depositada sobre o emissor e que diminu?ram a efici?ncia das c?lulas quando comparadas com aquelas de estrutura p+nn+.",
 	publisher = {Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais},
 	note = {Faculdade de Engenharia}
}