@MASTERSTHESIS{ 2012:87205772,
 	title = {Segrega??o do ?ndio em cristais Ga1-xInxSb obtidos pelo m?todo bridgman vertical},
 	year = {2012},
 	url = "http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3214",
 	abstract = "Este trabalho descreve o crescimento e a caracteriza??o de cristais de compostos semicondutores III-V, Ga1-xInxSb levemente dopados com Alum?nio (Al) e c?dmio (Cd). O composto Ga1-xInxSb ? um material interessante para o desenvolvimento de moduladores ?pticos, lasers operando na faixa de infravermelho m?dio, multijun??es de c?lulas solares e uso em c?lulas termofotovoltaicas. A metodologia apresenta a descri??o do processo de crescimento dos cristais atrav?s do m?todo Bridgman Vertical. A distribui??o do ?ndio e dos dopantes, analisada por Espectroscopia por Dispers?o de Energia foi correlacionada com a resistividade, n?mero de portadores e mobilidade ao longo dos cristais. A mudan?a da condutividade tipo n para tipo p em l?minas do mesmo cristal classifica a distribui??o heterog?nea do ?ndio e dos dopantes e sugere a presen?a de defeitos nativos. A distribui??o n?o uniforme do ?ndio nos cristais e a segrega??o do antimoneto de ?ndio para o final do cristal provavelmente esteja vinculada a desestabilidade da interface s?lido/l?quido durante o processo de crescimento dos cristais",
 	publisher = {Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais},
 	note = {Faculdade de Engenharia}
}