@PHDTHESIS{ 2011:712211129,
 	title = {Desenvolvimento e compara??o de c?lulas solares N+PN+ e N+PP+ em sil?cio multicristalino},
 	year = {2011},
 	url = "http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3183",
 	abstract = "Este trabalho tem como objetivo desenvolver e otimizar processos industriais para a fabrica??o de c?lulas solares em sil?cio multicristalino tipo p com estruturas n+pn+ e n+pp+. Para a obten??o da segunda estrutura, al?m da regi?o n+, foi necess?rio otimizar experimentalmente a regi?o p+ com difus?o de alum?nio. A inova??o deste trabalho consiste no desenvolvimento de c?lulas solares n+pp+ em sil?cio multicristalino e com metaliza??o por serigrafia, utilizando apenas um ?nico passo t?rmico para a difus?o dos dopantes f?sforo e alum?nio, e na compara??o das c?lulas desenvolvidas n+pn+ e n+pp+. Neste trabalho, foi otimizado o processo de textura??o isotr?pico utilizando solu??o ?cida. Um processo de textura??o por radia??o laser foi implementado e os resultados foram comparados com a reflet?ncia resultante da textura??o em solu??o ?cida. Obteve-se reflet?ncia m?dia de 23 %, para o processo com solu??o ?cida, e de 19,6 % para o processo com radia??o laser. O tempo de processamento da textura??o com radia??o laser ? elevado, encarecendo o processo. Portanto, optou-se pelo processo com ataque qu?mico ?cido. Constatou-se que a efici?ncia m?dia de c?lulas solares n+pn+ sem textura??o foi de 11,3 %, aumentando em 2 % (absoluto), quando foi implementada a textura??o em solu??o ?cida. Para o processo desenvolvido para fabrica??o de c?lulas sem campo retrodifusor, a maior efici?ncia alcan?ada foi de 13,8 %, com JSC = 29,3 mA/cm2, VOC = 595 mV e FF = 0,79. A efici?ncia m?xima encontrada para c?lulas n+pp+ foi de 14,1 % e os valores dos par?metros el?tricos foram: JSC = 30,2 mA/cm2, VOC = 592 mV e FF = 0,78. Concluiu-se que a regi?o de BSF n?o provoca melhora significativa na efici?ncia dos dispositivos, e que a pequena diferen?a entre as efici?ncias obtidas com as melhores c?lulas n+pn+ e n+pp+ devese a maior densidade de corrente de curtocircuito apresentada pelo dispositivo com BSF de Al",
 	publisher = {Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais},
 	note = {Faculdade de Engenharia}
}