@MASTERSTHESIS{ 2011:720986878,
 	title = {Crescimento e caracteriza??o de cristais de GaSb e GaInSB obtidos atrav?s do m?todo Czochralski com l?quido encapsulante},
 	year = {2011},
 	url = "http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3175",
 	abstract = "Este trabalho descreve a obten??o e caracteriza??o de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alum?nio (Al), c?dmio (Cd) e tel?rio (Te). O Antimoneto de G?lio ? um composto semicondutor da fam?lia III-V, com caracter?stica optoeletr?nica e termofotovoltaica, de aplica??o preferencial para uma nova gera??o de dispositivos de baixo consumo de energia e alto desempenho. A metodologia apresenta a descri??o do processo de crescimento dos cristais atrav?s do m?todo Czochralski com L?quido Encapsulante. A distribui??o dos dopantes e do ?ndio, analisada por Espectroscopia por Dispers?o de Energia, foi comparada com a resistividade, densidade de portadores e mobilidade ao longo dos cristais. A condutividade tipo-n encontrada em algum dos cristais sugere que defeitos complexos como VGaGaSb e mais provavelmente g?lio no s?tio do Sb (GaSb) possam estar presentes. A distribui??o n?o uniforme do alum?nio e do tel?rio nas amostras analisadas provavelmente esteja vinculada a n?o uniformidade da distribui??o radial dos dopantes em fun??o da presen?a de defeitos como maclas, contornos de gr?o e pits encontrados nos cristais.",
 	publisher = {Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais},
 	note = {Faculdade de Engenharia}
}