@MASTERSTHESIS{ 2012:352785759,
 	title = {Detec??o de defeitos do tipo Resistive-Open em SRAM com o uso de l?gica comparadora de vizinhan?a},
 	year = {2012},
 	url = "http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3045",
 	abstract = "O mundo de hoje ? cada vez mais dependente dos avan?os tecnol?gicos sendo os sistemas em chip (SoC, do ingl?s System-on-Chip) um dos principais alicerces desse avan?o. Para tanto que a lei de Moore, que previu que a capacidade computacional dos SoCs dobraria a cada ano, j? foi ultrapassada. Devido a essa forte demanda por crescimento novas tecnologias surgiram e junto novos modelos de falhas passaram a afetar a con abilidade dos SoCs. Os SoCs produzidos nas tecnologias mais avan?adas (VDSM - Very Deep Sub-Micron), devido a sua alta integra??o de transistores em uma ?rea pequena, passaram a apresentar um grande n?mero de interconex?es fazendo com que os defeitos do tipo Resistive-Open, que ocorrem nessas interconex?es, se tornassem os maiores respons?veis por SoCs com defeitos escaparem os testes de manufaturas. Ainda, segundo proje??es da SIA Roadmap, a ?rea consumida pela SRAM ser? em torno de 95% da ?rea utilizada por um SoC. E sabendo que essas mem?rias possuem in?meras interconex?es, existe uma grande probabilidade de ocorrer defeitos do tipo Resistive-Open em seus circuitos. Esses defeitos s?o capazes de causar falhas funcionais do tipo est?ticas ou din?micas, de acordo com a sua intensidade. As falhas est?ticas s?o sensibilizadas com apenas uma opera??o e as din?micas necessitam de duas ou mais opera??es para que sejam sensibilizadas. Os testes de manufatura mais utilizados para aferir a sa?de dos SoCs durante o processo de manufatura s?o hoje ine cientes frente aos defeitos do tipo Resistive-Open. O mais comum deles ? o March Test, que efetua opera??es de escrita e leitura na mem?ria com o objetivo de sensibilizar falhas e por m detect?-las, entretanto ? ine ciente para detectar as falhas do tipo din?micas porque ? necess?rio efetuar mais opera??es que o tempo dispon?vel permite para que essas falhas sejam sensibilizadas. Outro teste utilizado durante a manufatura chama-se teste de corrente quiescente (teste de Iddq), este monitora a corrente consumida do SoC como um todo durante a inje??o de vetores nos sinais de entrada, o consumo de corrente do chip ? comparado com limiares ou outro chip id?ntico sob o mesmo teste para detectar defeitos, entretanto n?o ? poss?vel distinguir entre varia??es inseridas, nos sinais monitorados, pelos defeitos ou pelos corners, que s?o varia??es nas caracter?sticas dos transistores fruto do processo de manufatura. E, por m, o ?ltimo teste que ? apresentado ? uma mistura dos dois testes anteriores, utiliza sensores de correntes e algoritmos de opera??es como em March Test onde que o defeito ? detectado pelos sensores de corrente embutidos quando a corrente monitorada ultrapassa dado limiar, embora esse teste tenha condi??es de detectar defeitos que causam falhas din?micas e de n?o sofrerem in u?ncia dos corners, ele ? ine caz ao detectar defeitos do tipo Resistive-Open que possam ocorrer em qualquer local, com qualquer tamanho de imped?ncia em uma SRAM executando qualquer opera??o, porque os defeitos do tipo Resistive-Open ora aumentam o consumo de corrente e ora o diminui de acordo com essas tr?s caracter?sticas citadas. Compara??es por limiares n?o t?m condi??es de contornar esta di culdade. Com tudo isso, o objetivo desta disserta??o de mestrado ? propor uma t?cnica de detec ??o de defeitos que seja capaz de vencer as tr?s limita??es dos testes convencionais de manufatura apontadas. Para a tarefa, sensores de corrente s?o utilizados associadamente com March Test, entretanto com o acr?scimo de uma L?gica Comparadora de Vizinhan?a (LCV) que tomar? para si a fun??o de detectar defeitos, deixando os sensores apenas encarregados em transformar a corrente anal?gica em um sinal digital e que tem a capacidade de eliminar a necessidade do uso de limiares, junto com as demais limita??es apontadas. A LCV monitora o comportamento de uma vizinhan?a c?lulas e, comparando-os entre si, acusa aquela ou aquelas c?lulas que se comportarem diferentemente das suas vizinhas como defeituosas, desta maneira a refer?ncia de comportamento correto ? obtida da pr?- pria vizinhan?a durante a execu??o do teste de manufatura, eliminando a necessidade de conhecimento pr?vio do tipo de dist?rbio causado pelos defeitos do tipo Resistive-Open, trazendo facilidade na hora de projetar o sistema de detec??o de defeitos e adicionado o poder de detectar qualquer defeito que gere altera??es no sinal de corrente consumida das c?lulas da SRAM. Neste contexto, o sensor de corrente tem apenas a fun??o de gerar o sinal digital, que ? de 1 bit para cada sinal monitorado (V dd e Gnd) e modulado em largura de pulso (PWM), assim a LCV tamb?m tem sua complexidade diminu?da, pois ? constitu?da por apenas portas l?gicas. A LCV e os sensores de corrente s?o utilizados durante o teste de manufatura, as compara??es que ocorrem na vizinhan?a s?o efetuadas paralelamente nas c?lulas da mem ?ria, ent?o o teste de manufatura necessita efetuar opera??es de acesso para excitar semelhantemente todas as c?lulas que participam da mesma vizinhan?a. O March Test ? um teste que efetua opera??es desta natureza e, portanto, ? utilizado para controlar a execu??o do teste e recolher os dados proveniente da LCV, que cont?m o resultado da detec??o efetuada em cada vizinhan?a. A LCV, o sensor de corrente e o March Test juntos comp?em a t?cnica de detec??o de defeitos proposta nesta disserta??o, e foram validados quanto as suas fun??es para comprovar que operam como projetados. Por m, a t?cnica proposta se mostrou capaz de detectar as 10 milh?es de c?lulas defeituosas (com o defeito mais dif?cil de detectar que causa falha funcional din?mica) em uma SRAM de 1Gbit, sem deixar passar nenhuma c?lula defeituosa pelo teste de manufatura, junto a isso, 294.890 c?lulas boas foram desperdi?adas, isto-?, foram dadas como defeituosas enquanto n?o tinham defeitos, o que representa apenas 0,029% de desperd?cio. Tudo isso, ao custo de ?rea equivalente a ?rea consumida por 56 c?lulas de mem?ria, por coluna monitorada, e ao custo de um teste de manufatura que executa apenas 5 opera??es em cada linha da SRAM.",
 	publisher = {Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia El?trica},
 	note = {Faculdade de Engenharia}
}