@PHDTHESIS{ 2023:1236279258,
 	title = {Desenvolvimento de c?lulas solares bifaciais PERT Base n : an?lise da difus?o com redu??o de etapas t?rmicas e da passiva??o com ?xido de sil?cio crescido em diferentes condi??es},
 	year = {2023},
 	url = "https://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/10952",
 	abstract = "As c?lulas solares base n est?o conquistando espa?o na ind?stria bem como a estrutura PERT bifacial, que viabiliza o aumento da pot?ncia. O objetivo deste trabalho foi desenvolver c?lulas solares bifaciais base n com estrutura PERT com difus?o de boro e f?sforo na mesma etapa t?rmica e passiva??o com ?xido de sil?cio. A inova??o foi a difus?o dos dois dopantes na mesma etapa t?rmica, com base na solicita??o de patente BR1020180085760 e a an?lise da passiva??o com ?xido de sil?cio crescido em diferentes condi??es. Utilizaram-se l?minas de Si-Cz e Si-FZ e a metodologia resume-se em: 1) analisar a influ?ncia da temperatura de difus?o de boro, de 940 ?C a 980 ?C, na resist?ncia de folha do emissor p+ e do campo retrodifusor (BSF) n+, nos par?metros el?tricos das c?lulas solares bifaciais, na bifacialidade, na efici?ncia qu?ntica e na reflet?ncia e 2) avaliar a espessura e a passiva??o proporcionada pela camada de ?xido de sil?cio no emissor e no campo retrodifusor crescida com redu??o da vaz?o de oxig?nio e com presen?a de nitrog?nio. Para isso estimou-se a espessura da camada por elipsometria e o tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios. Constatou-se que a difus?o de boro (TB) afeta a resist?ncia de folha do BSF, que aumenta com o valor da TB. As temperaturas para difus?o de boro de 960 ?C e 950 ?C resultaram na maior pot?ncia no modo bifacial em c?lulas solares produzidas em l?minas de Si-Cz e de Si-FZ, respectivamente. A bifacialidade alcan?ou o valor de 0,99 nos dois tipos de substratos. Devido a maior efici?ncia das c?lulas solares em Si-Cz, a pot?ncia no modo bifacial foi de 1,14 W e no dispositivo em Si-FZ foi de 1,08 W. Tamb?m se verificou que a espessura da camada de ?xido de sil?cio foi influenciada pela temperatura de difus?o de boro e afetou a reflet?ncia. Observou-se que no campo retrodifusor a reflet?ncia em comprimentos de onda pr?ximos a 350 nm diminuiu com o aumento de TB, independente do tipo de substrato. A efici?ncia qu?ntica interna ? menor no emissor de boro que no BSF em comprimentos de onda menores que 400 nm, devido a maior recombina??o dos portadores de carga minorit?rios nesta regi?o. Concluiu-se que a espessura do ?xido de sil?cio ? maior na face dopada com f?sforo, da ordem de 38 ? 40 nm, em compara??o com o valor estimado na face do emissor de 12,5 ? 13,5 nm. Tamb?m se concluiu que a adi??o de nitrog?nio tende a diminuir a camada de ?xido de sil?cio nas duas faces e a redu??o da vaz?o de O2 praticamente n?o afetou a espessura da camada de passiva??o. O crescimento de ?xido de sil?cio com presen?a de nitrog?nio melhorou a qualidade do substrato e proporcionou a passiva??o similar ao encontrado com o processo com vaz?o de oxig?nio padr?o. Os resultados indicam que o processo de difus?o de boro e de f?sforo na mesma etapa t?rmica ? eficaz e possibilita a produ??o de c?lulas solares bifaciais base n, com elevada bifacialidade e tempo de vida dos minorit?rios na base",
 	publisher = {Pontif?cia Universidade Cat?lica do Rio Grande do Sul},
 	scholl = {Programa de P?s-Gradua??o em Engenharia e Tecnologia de Materiais},
 	note = {Escola Polit?cnica}
}