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https://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3175| Tipo do documento: | Dissertação |
| Título: | Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante |
| Autor: | Streicher, Morgana  |
| Primeiro orientador: | Dedavid, Berenice Anina |
| Resumo: | Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alumínio (Al), cádmio (Cd) e telúrio (Te). O Antimoneto de Gálio é um composto semicondutor da família III-V, com característica optoeletrônica e termofotovoltaica, de aplicação preferencial para uma nova geração de dispositivos de baixo consumo de energia e alto desempenho. A metodologia apresenta a descrição do processo de crescimento dos cristais através do método Czochralski com Líquido Encapsulante. A distribuição dos dopantes e do índio, analisada por Espectroscopia por Dispersão de Energia, foi comparada com a resistividade, densidade de portadores e mobilidade ao longo dos cristais. A condutividade tipo-n encontrada em algum dos cristais sugere que defeitos complexos como VGaGaSb e mais provavelmente gálio no sítio do Sb (GaSb) possam estar presentes. A distribuição não uniforme do alumínio e do telúrio nas amostras analisadas provavelmente esteja vinculada a não uniformidade da distribuição radial dos dopantes em função da presença de defeitos como maclas, contornos de grão e pits encontrados nos cristais. |
| Palavras-chave: | ENGENHARIA DE MATERIAIS SEMICONDUTORES CRESCIMENTO DOS CRISTAIS |
| Área(s) do CNPq: | CNPQ::ENGENHARIAS |
| Idioma: | por |
| País: | BR |
| Instituição: | Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul |
| Sigla da instituição: | PUCRS |
| Departamento: | Faculdade de Engenharia |
| Programa: | Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiais |
| Citação: | STREICHER, Morgana. Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante. 2011. 96 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2011. |
| Tipo de acesso: | Acesso Aberto |
| URI: | http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3175 |
| Data de defesa: | 18-Jan-2011 |
| Aparece nas coleções: | Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiais |
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| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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