1. TEDE PUCRS
  2. Teses e Dissertações dos Programas de Pós-Graduação da PUCRS
  3. Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiais
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dc.creatorStreicher, Morgana-
dc.creator.Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4183576D7por
dc.contributor.advisor1Dedavid, Berenice Anina-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4780514Z4por
dc.date.accessioned2015-04-14T13:58:42Z-
dc.date.available2011-03-16-
dc.date.issued2011-01-18-
dc.identifier.citationSTREICHER, Morgana. Crescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulante. 2011. 96 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2011.por
dc.identifier.urihttp://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3175-
dc.description.resumoEste trabalho descreve a obtenção e caracterização de cristais compostos semicondutores III-V GaSb e GaInSb, levemente dopados com alumínio (Al), cádmio (Cd) e telúrio (Te). O Antimoneto de Gálio é um composto semicondutor da família III-V, com característica optoeletrônica e termofotovoltaica, de aplicação preferencial para uma nova geração de dispositivos de baixo consumo de energia e alto desempenho. A metodologia apresenta a descrição do processo de crescimento dos cristais através do método Czochralski com Líquido Encapsulante. A distribuição dos dopantes e do índio, analisada por Espectroscopia por Dispersão de Energia, foi comparada com a resistividade, densidade de portadores e mobilidade ao longo dos cristais. A condutividade tipo-n encontrada em algum dos cristais sugere que defeitos complexos como VGaGaSb e mais provavelmente gálio no sítio do Sb (GaSb) possam estar presentes. A distribuição não uniforme do alumínio e do telúrio nas amostras analisadas provavelmente esteja vinculada a não uniformidade da distribuição radial dos dopantes em função da presença de defeitos como maclas, contornos de grão e pits encontrados nos cristais.por
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2015-04-14T13:58:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 429719.pdf: 8096563 bytes, checksum: 3909c8aa0ccc3554fde2f6ac8e82d333 (MD5) Previous issue date: 2011-01-18eng
dc.formatapplication/pdfpor
dc.thumbnail.urlhttp://tede2.pucrs.br:80/tede2/retrieve/12235/429719.pdf.jpg*
dc.languageporpor
dc.publisherPontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sulpor
dc.publisher.departmentFaculdade de Engenhariapor
dc.publisher.countryBRpor
dc.publisher.initialsPUCRSpor
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiaispor
dc.rightsAcesso Abertopor
dc.subjectENGENHARIA DE MATERIAISpor
dc.subjectSEMICONDUTORESpor
dc.subjectCRESCIMENTO DOS CRISTAISpor
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIASpor
dc.titleCrescimento e caracterização de cristais de GaSb e GaInSB obtidos através do método Czochralski com líquido encapsulantepor
dc.typeDissertaçãopor
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